Физика Электроника

Лабораторные работы по электронике

Входное сопротивление полевого транзистора велико,  т.к. управляющий p-n-переход включается в обратном направлении. Поэтому в цепи  затвора протекает небольшой ток затвора Iз. Большое входное сопротивление полевых транзисторов является их существенным преимуществом по сравнению с биполярными транзисторами. Условные графические изображения и схемы включения полевых транзисторов  с управляющим p-n-переходом представлены на рис. 1.3. В условных графических изображениях сплошной вертикальной линией обозначен канал полевых транзисторов с управляющим  p-n-переходом.

 

Рис. 1.3. Условные графические изображения и схемы включения В настоящее время получение, передача и распределение электроэнергии в большинстве случаев производится посредством трехфазной системы. Эта система была изобретена и практически разработана во всех основных се частях выдающимся русским инженером М. О. Доливо-Добровольским.

полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом:

а) – с каналом n-типа, б) – с каналом p-типа

Семейство статических стоковых (выходных) характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом, выражающих зависимость  при напряжении  изображено на рис. 1.4,а. Рассмотрим стоковую характеристику, снятую при напряжении

Рис. 1.4. Семейство стоковых (выходных) характеристик (а) и

характеристик управления (б) полевого транзистора

с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа

Если бы сопротивление канала не зависело от проходящего через него тока стока Iс, ток Iс был бы связан с напряжением Uси линейной зависимостью, (штрих - пунктирная линия на рис. 1.4,а). Так как ток Iс создает на сопротивлении канала падение напряжения, которое увеличивает области объемного заряда переходов, то увеличение напряжения Uси сопровождается уменьшением площади сечения канала (см. формулу (1.6)) и увеличением его сопротивления, что приводит к замедлению роста тока Iс. При некотором напряжении на стоке, обозначаемом Uсип и называемом напряжением перекрытия, канал в области стока почти перекрывается. Из выражения (1.6) следует, что это происходит при |Uсип| = |Uзи отс|. Ток стока, при котором перекрывается канал, называют начальным и обозначают Iс нач.

 Если к затвору полевого транзистора приложить напряжение Uзи, смещающее p-n-переход в обратном направлении, то перекрытие канала наступит при меньшем значении напряжения Uси. Это объясняется тем, что к p-n-переходу между затвором и стоком прикладывается обратное напряжение, равное (|Uзи| + |Uси|). Смыкание переходов произойдет при условии равенства этого суммарного напряжения напряжению отсечки: |Uсип1| + |Uзи1| = |Uзи отс| = |Uсип|. Учитывая, что в полевых транзисторах с каналом n-типа Uси > 0, а Uзи < 0 и Uзи отс < 0, получаем: |Uсип1| = |Uсип| - |Uзи|. Полного перекрытия канала путем увеличения напряжения Uси получить нельзя, поскольку само перекрытие является следствием прохождения тока стока. В результате автоматически устанавливается некоторая малая ширина канала.

Область стоковых характеристик, которая соответствует напряжениям 0 < Uси < Uсип1, называется крутой или омической. Такое название связано с тем, что дифференциальное сопротивление канала полевого транзистора в данной области определяется напряжением на затворе. Вследствие этого полевые транзисторы широко используются в качестве переменных резисторов, управляемых электрическим способом.

Участки стоковых характеристик, снятые при Uси >Uсип1, соответствуют перекрытию канала (или насыщению). При напряжении Uси, большем напряжения перекрытия, увеличиваются: длина перекрытой части канала и его сопротивление. Если бы длина перекрытой части канала линейно зависела от напряжения Uси, то с ростом напряжения Uси пропорционально увеличивалось бы сопротивление канала, а проходящий через него ток стока оставался бы постоянным. На самом деле длина перекрытой части канала зависит от напряжения Uси так же, как глубина проникновения области объемного заряда в канал. Согласно этому, длина перекрытой части канала и его сопротивление пропорциональны  и увеличиваются с ростом напряжения Uси более медленно. Поэтому в области перекрытия канала увеличение напряжения Uси сопровождается небольшим возрастанием тока стока.

Начальный ток стока Iс нач и напряжение отсечки Uзи отс определяются размерами и физическими параметрами полупроводникового кристалла (подвижностью основных носителей заряда, диэлектрической проницаемостью), а также законом распределения примесей в канале.

Статическая вольт – амперная характеристика передачи, называемая также проходной или характеристикой управления полевого транзистора, отображает зависимость  при напряжении  в режиме перекрытия канала. Она может быть получена экспериментально либо путем перестроения стоковых характеристик, как показано на рис. 1.4. Данная характеристика показывает, что при увеличении Uзи, смещающего p-n-переход в обратном направлении, ток стока уменьшается, а при Uзи = Uзи отс, (рис. 1.4,б), ток стока становится равным нулю.

В полевых транзисторах с изолированным затвором  затвор изготавливается в виде металлической пластины, которая изолирована пленкой диэлектрика от полупроводника. Роль канала в таких транзисторах выполняет тонкий поверхностный слой полупроводника с измененным типом электропроводности и расположенный непосредственно под затвором.

В зависимости от способа изменения типа электропроводности поверхностного слоя полупроводника, различают транзисторы с индуцированным и встроенным каналами. Такие приборы называют МДП–транзисторами, имеющие структуру металл – диэлектрик – полупроводник. В транзисторах, изготовленных на основе кремния, в качестве диэлектрика обычно используется диоксид кремния SiO2, поэтому такие МДП-транзисторы часто называют МОП - транзисторами.

К техническим данным относятся: чувствительность, разрешающая способность, граничная частота и световые свойства экрана.

Чувствительностью по отклонению eназывается величина, равная отношению отклонения луча на экране трубки h к величине приложенного к пластинам напряжения U

 

.

(1.1)

Размерность введенного параметра e [мм/В]. Отклонение луча h от оси трубки определяется с помощью следующего выражения

 

(1.2)

где (см. рис. 1.1 в) L – расстояние от конца отклоняющих пластан до экрана, l – длина пластин, d – расстояние между ними, UA2 – потенциал второго анода. Подставляя соотношение (1.2) в формулу (1.1), получим e=lL/2dUA2.

Часто на практике пользуются величиной, обратной чувствительности и называемой коэффициентом отклонения. Коэффициент отклонения

Разрешающую способность ЭЛТ h характеризуют минимальным диаметром светового пятна на ее экране при наилучшей фокусировке и достаточной для наблюдения яркости. Для универсальных ЭО параметр h=(0,06¸1) мм.

Граничная частота ЭЛТ определяется ее геометрическими размерами, а точнее временем пролета электрона вдоль пути между парами пластин вертикального и горизонтального отклонения. Если периоды приложенных к пластинам сигналов и время пролета электрона между ними соизмеримы, то между отклоняющимися по вертикали и горизонтали напряжениями появляется фазовый сдвиг. Величина этого фазового сдвига равна 10 ° и взята для определения граничной частоты ЭЛТ.

Световые свойства экрана можно характеризовать несколькими различными показателями, среди которых важнейшим является яркость свечения экрана, которая равна силе света, приходящегося на единицу площади, и выражается в канделах на м2, т. е. кд/м2.

Интегральная цифровая техника Микроэлектронные функциональные цифровые узлы комбинационного типа: преобразователи кодов, шифраторы и дешифраторы, мультиплексоры и демультиплексоры, схемы сравнения. Интегральные триггеры: структура и классификация статических триггеров, интегральные RS, D, T, JK триггеры, асинхронные и синхронные триггеры, триггеры, тактируемые фронтом сигнала.
Чтобы превосходно отдохнутьдостаточно обратить взор к валютницам. Старые проститутки будут уместным ходом. Приходите сами и приводите ваших корефанов и холостяцкая вечеринка не пройдет скучно и меланхолично. | Давалки разной конфигурации рядом со станцией метро Университет http://prostitutkikieva.biz/universitet/ развлекут всех заказчиков необыкновенным совокуплением по бонусным лэндингам когда захочется. эскорт услуги в москве
Полупроводниковые выпрямители